Hochfrequenz-Struktur mit Substratintegriertem Wellenleiter und Rechteck-Hohlleiter

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3944410

Aktenzeichen

EP21185769

Anmeldetag

15. Juli 2021

Veröffentlichung

26. Januar 2022

Rechtsraum

EP

IPC

H01P5/12

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Struktur, bei der ein Rechteck-Hohlleiter (2) vertikal an einen substratintegrierten Wellenleiter (1) gekoppelt ist. Der substratintegrierte Wellenleiter (1) weist im Ankoppelbereich einen zum Rechteck-Hohlleiter (2) hin offenen Hohlraum auf, der auf einer dem Rechteck-Hohlleiter (2) gegenüberliegenden Seite durch eine metallische Abdeckung (8) abgeschlossen ist. Der Ankoppelbereich zum Rechteck-Hohlleiter (2) ist so angeordnet, dass er den substratintegrierten Wellenleiter (1) in zwei Wellenleiterzweige auftrennt, die eine Einkopplung eines differentiellen Signals über ihre Enden ermöglichen, das in dem zum Rechteck-Hohlleiter (2) hin offenen Hohlraum eine Phasendifferenz im Bereich von 180° aufweist. Der Hohlraum ist in Richtung der beiden Wellenleiterzweige mit einer beidseitig gestuften Struktur zur Impedanzanpassung versehen, die durch Stufen (9) in der dem Rechteck-Hohlleiter (2) zugewandten elektrisch leitfähigen Beschichtung (4) gebildet wird. Die vorgeschlagene Hochfrequenz-Struktur ermöglicht eine Übertragung eines von einem MMIC erzeugten differentiellen Signals mit geringen Bandbreite- und Leistungsverlusten zu einer mit dem Rechteck-Hohlleiter verbundenen Antenne.

Anmelder

Firma

Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete