Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Auf-Isolator-Substrats

EP3948941 Art B1 22. März 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3948941
Aktenzeichen: EP20713004
Anmeldetag: 26. März 2020
Veröffentlichung: 22. März 2023
Erteilung: 22. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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