Halbleiterstruktur mit Transistoren mit Hoher Elektronenbeweglichkeit der Gruppe Iii-N im Anreicherungsmodus als Auch Transistoren mit Hoher Elektronenbeweglichkeit der Gruppe Iii-N im Verarmungsmodus

EP3953973 Art A1 16. Februar 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3953973
Aktenzeichen: EP20717444
Anmeldetag: 12. März 2020
Veröffentlichung: 16. Februar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/337H01L29/207H01L27/06H01L29/10H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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