Halbleiterstruktur und Vorwärmverfahren dafür
EP3955295
Art B1
1. Mai 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3955295
- Aktenzeichen
- EP20926529
- Anmeldetag
- 25. November 2020
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2024
- Erteilung
- 1. Mai 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/04G11C7/20G11C11/4072// G11C5/02G11C5/04G11C11/4076H01L25/065H01L25/16H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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