Herstellungsverfahren für eine Vergrabene Wortleitungsstruktur und Halbleiterspeicher mit Vergrabener Wortleitungsstruktur
EP3958299
Art B1
14. Juni 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3958299
- Aktenzeichen
- EP21802580
- Anmeldetag
- 9. April 2021
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2023
- Erteilung
- 14. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/74H01L21/762H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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