Halbleiterbauelement

EP3961633 Art B1 1. Januar 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3961633
Aktenzeichen
EP20936097
Anmeldetag
11. November 2020
Veröffentlichung
1. Januar 2025
Erteilung
1. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G01K7/01G01K7/42G11C5/04G11C5/14G11C7/04G11C11/4074G01K3/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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