Germaniumanreicherung um den Kanal Herum durch Erhöhte Blöcke
Anmelder: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3961720
- Aktenzeichen
- EP21188376
- Anmeldetag
- 29. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 23. August 2023
- Erteilung
- 23. August 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/786H01L29/78H01L29/165
Abstract
Production of a compressively stressed channel structure for a transistor comprising, in this order: - providing on a surface semiconductor layer (12) of a substrate, a gate block (22) and spacers (23) on either side of the gate block, - growing on the surface semiconductor layer semiconductor zones (25) with vertical lateral edges, - forming on said semiconductor zones semiconductor blocks (26) based on Si<x>Ge<1-x> with inclined lateral facets, - thermal oxidation so as to produce condensation of the germanium of said semiconductor blocks (26) in said semiconductor zones and the surface semiconductor layer (12), so as to form semiconductor regions in Si<y>Ge<1-y> with y<x on either side of the spacers (23) (figure 2C).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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