Vertikale Speichervorrichtungen

EP3963631 Art B1 18. September 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3963631
Aktenzeichen
EP20936072
Anmeldetag
29. Mai 2020
Veröffentlichung
18. September 2024
Erteilung
18. September 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10B43/27H10B43/40H01L25/00H01L25/18H01L25/065H01L23/00H01L23/58
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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