Lese-/schreib-Verfahren und Speichervorrichtung

EP3964940 Art A1 9. März 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3964940
Aktenzeichen
EP20928300
Anmeldetag
9. November 2020
Veröffentlichung
9. März 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G06F11/10G06F11/16G06F3/06G11C29/04G11C29/00G06F12/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

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