Lese-Schreib-Verfahren und Speichervorrichtung
EP3964941
Art B1
28. Februar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3964941
- Aktenzeichen
- EP20928575
- Anmeldetag
- 11. November 2020
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2024
- Erteilung
- 28. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F3/06G11C29/14G11C29/18G11C29/42G11C29/00G11C5/00G06F12/0802G06F12/0882G06F11/10G06F11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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