Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP3965167
Art A1
9. März 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3965167
- Aktenzeichen
- EP20922354
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 9. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/94H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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