Quellenstruktur einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP3966865
Art A1
16. März 2022
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3966865
- Aktenzeichen
- EP20927391
- Anmeldetag
- 23. März 2020
- Veröffentlichung
- 16. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11524H01L27/11529H01L27/1157
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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