Halbleiterbauelement

EP3968324 Art B1 5. Juli 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3968324
Aktenzeichen
EP20937168
Anmeldetag
15. Dezember 2020
Veröffentlichung
5. Juli 2023
Erteilung
5. Juli 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/04G11C5/02G11C5/04G11C5/14G11C7/20G11C29/02G01K1/02// G11C11/4074H01L25/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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