Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP3968371
Art B1
28. Juni 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3968371
- Aktenzeichen
- EP20896064
- Anmeldetag
- 16. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2023
- Erteilung
- 28. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/285H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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