Oxidsupraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung

EP3968396 Art B1 29. Januar 2025

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3968396
Aktenzeichen
EP21160174
Anmeldetag
2. März 2021
Veröffentlichung
29. Januar 2025
Erteilung
29. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10N60/20H10N60/85H10N60/01// H01P7/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

3.468 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen