Halbleiterstruktur und Verfahren zur Formung davon
EP3971945
Art A1
23. März 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3971945
- Aktenzeichen
- EP20933278
- Anmeldetag
- 20. November 2020
- Veröffentlichung
- 23. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/027H01L27/108H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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