Siliciumcarbidvorrichtung mit Streifenförmiger Gate-Elektrode und Quellmaterialmetallisierung

EP3971987 Art A1 23. März 2022

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3971987
Aktenzeichen: EP20197223
Anmeldetag: 21. September 2020
Veröffentlichung: 23. März 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/10H01L29/417H01L29/423H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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