Halbleiterstruktur und Verfahren zur Formung davon
EP3971992
Art A1
23. März 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3971992
- Aktenzeichen
- EP19928607
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 23. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10D30/60H10D62/00H10D62/10H10D62/13H10D64/01H10D64/23H10D64/62H10D62/832
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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