Schutzschaltung für Elektrostatische Entladungen

EP3975248 Art B1 20. Dezember 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3975248
Aktenzeichen
EP21774448
Anmeldetag
8. März 2021
Veröffentlichung
20. Dezember 2023
Erteilung
20. Dezember 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02H03K17/081H02H3/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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