Herstellungsverfahren für eine Speicherstruktur
EP3975253
Art B1
28. Februar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3975253
- Aktenzeichen
- EP21797863
- Anmeldetag
- 12. April 2021
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2024
- Erteilung
- 28. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H01L27/088H01L21/8234// H10B53/00H10B63/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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