Retentionsverbesserung von Rram-Bauelementen durch Verkapselung mit Hoher Dielektrizitätskonstante
EP3979347
Art B1
2. April 2025
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3979347
- Aktenzeichen
- EP21208003
- Anmeldetag
- 18. November 2019
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Erteilung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N70/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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