Speicherstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP3982409
Art A1
13. April 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3982409
- Aktenzeichen
- EP19932023
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 13. April 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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