Lese-Schreib-Verfahren und Speichervorrichtung
EP3985494
Art B1
17. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3985494
- Aktenzeichen
- EP20929096
- Anmeldetag
- 20. November 2020
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2024
- Erteilung
- 17. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/04G06F3/06G11C29/00G11C29/12G06F11/10G06F11/14G06F12/0802G06F12/0882G11C29/42G11C29/44H03K19/17728
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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