Halbleiterstruktur, Herstellungsverfahren und Steuerverfahren dafür
EP3985672
Art B1
24. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3985672
- Aktenzeichen
- EP21773442
- Anmeldetag
- 2. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2024
- Erteilung
- 24. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H01L29/66H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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