Temperaturgesteuerter Hochfrequenzresonator und Entsprechender Hochfrequenzoszillator

EP3987659 Art A1 27. April 2022

Anmelder: Ecole Nationale Superieure de Mecanique et des Microtechniques - ENSMM, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3987659
Aktenzeichen: EP20727687
Anmeldetag: 28. Mai 2020
Veröffentlichung: 27. April 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H03H9/08H03H9/46H03H9/54H03L1/04H03L7/08H03H9/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Ecole Nationale Superieure de Mecanique et des Microtechniques - ENSMM
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

13.083 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von