Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Halbleiterbauelements
EP3989264
Art A1
27. April 2022
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3989264
- Aktenzeichen
- EP20846285
- Anmeldetag
- 26. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 27. April 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872H01L21/28H01L29/06H01L21/329H01L29/868H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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