Bipolarer Transistor mit Isoliertem Gate

EP3989292 Art B1 13. August 2025

Anmelder: Southeast University, CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3989292
Aktenzeichen: EP20884449
Anmeldetag: 26. August 2020
Veröffentlichung: 13. August 2025
Erteilung: 13. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D12/00H10D62/13H10D64/00H10D64/27H10D64/23

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Southeast University
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

1.065 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von