Bipolarer Transistor mit Isoliertem Gate
EP3989292
Art B1
13. August 2025
Anmelder: Southeast University, CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3989292
- Aktenzeichen
- EP20884449
- Anmeldetag
- 26. August 2020
- Veröffentlichung
- 13. August 2025
- Erteilung
- 13. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D12/00H10D62/13H10D64/00H10D64/27H10D64/23
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Southeast University
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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