Film, Mehrschichtiger Körper, Halbleiterwafer mit Filmschicht, Substrat zur Montage eines Halbleiters mit einer Filmschicht,und Halbleiterbauelement
EP3991968
Art A1
4. Mai 2022
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3991968
- Aktenzeichen
- EP20830876
- Anmeldetag
- 26. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 4. Mai 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B32B27/34C08F22/40C08L35/00C08L61/34H01L21/60C08K3/013C09D4/00H01L21/56B32B7/12B32B27/06B32B27/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München