Verbindungsstrukturen für Integrierte Schaltungen mit Ultradünnen Metallchalkogenid-Barrierematerialien
Anmelder: Intel Corporation, INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3993020
- Aktenzeichen
- EP21197320
- Anmeldetag
- 17. September 2021
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2025
- Erteilung
- 17. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Integrated circuit interconnect structures including an interconnect metallization feature with a barrier material comprising a metal and a chalcogen. Introduction of the chalcogen may improve diffusion barrier properties at a given barrier material layer thickness with increasing the barrier layer thickness. A barrier material, such as TaN, may be deposited at minimal thickness, and doped with a chalcogen before or after one or more fill materials are deposited over the barrier material. During thermal processing mobile chalcogen impurities may collect within regions within the barrier material to high enough concentrations for at least a portion of the barrier material to be converted into a metal chalcogenide layer. The metal chalcogenide layer may have greater crystallinity than a remainder of the barrier layer.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.