Verfahren zur Herstellung einer Split-Gate-Flash-Speicherzelle mit einem durch einen Abstandshalter Definierten Schwebenden Gate und Diskret Geformten Polysilizium-Gates

EP3994731 Art B1 17. Januar 2024

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3994731
Aktenzeichen
EP20717381
Anmeldetag
6. März 2020
Veröffentlichung
17. Januar 2024
Erteilung
17. Januar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/423H01L29/66H01L29/788H10B41/30
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Silicon Storage Technology Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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