Verfahren zur Herstellung einer Split-Gate-Flash-Speicherzelle mit einem durch einen Abstandshalter Definierten Schwebenden Gate und Diskret Geformten Polysilizium-Gates
EP3994731
Art B1
17. Januar 2024
Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3994731
- Aktenzeichen
- EP20717381
- Anmeldetag
- 6. März 2020
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2024
- Erteilung
- 17. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/66H01L29/788H10B41/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Silicon Storage Technology Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Silicon Storage Technology
Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.
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Betten & Resch · München