Chip und Speicher

EP3996134 Art B1 5. Juni 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3996134
Aktenzeichen
EP21769871
Anmeldetag
8. Juni 2021
Veröffentlichung
5. Juni 2024
Erteilung
5. Juni 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/48H01L23/58H01L21/764// H01L21/768H01L25/065
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen