Seitlich Diffundiertes Metalloxid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP3998638 Art A1 18. Mai 2022

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3998638
Aktenzeichen
EP20866278
Anmeldetag
26. Mai 2020
Veröffentlichung
18. Mai 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/06H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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