Lese-Schreib-Umwandlungsschaltung und Speicher

EP4002081 Art A1 25. Mai 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4002081
Aktenzeichen
EP21818317
Anmeldetag
1. Februar 2021
Veröffentlichung
25. Mai 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G06F3/06G11C7/10G11C7/22G11C11/4076G11C11/4094G11C11/4096
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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