Ausleitstruktur für Wortleitung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4002453
Art B1
26. März 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4002453
- Aktenzeichen
- EP21812445
- Anmeldetag
- 17. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 26. März 2025
- Erteilung
- 26. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H10B12/00H01L21/768H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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