Lese-Schreib-Verfahren und Speichervorrichtung
EP4006709
Art A1
1. Juni 2022
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4006709
- Aktenzeichen
- EP20928574
- Anmeldetag
- 20. November 2020
- Veröffentlichung
- 1. Juni 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F3/06G06F11/16G06F11/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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