Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur mit einer Dünnen Schicht aus Monokristallinem Sic auf einem Trägersubstrat aus Polykristallinem Sic

EP4008020 Art B1 10. Januar 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4008020
Aktenzeichen: EP20747065
Anmeldetag: 2. Juli 2020
Veröffentlichung: 10. Januar 2024
Erteilung: 10. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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