Datenschreibverfahren

EP4012711 Art A1 15. Juni 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4012711
Aktenzeichen
EP21856971
Anmeldetag
17. Juni 2021
Veröffentlichung
15. Juni 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/4076G11C16/10G11C11/4093G11C11/4096G11C7/10G11C11/4091G11C11/4094G11C16/24
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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