Hybridstruktur für Vorrichtung mit Oberflächenschallwellen und Entsprechendes Herstellungsverfahren

EP4012790 Art B1 19. Juli 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4012790
Aktenzeichen
EP21217508
Anmeldetag
13. März 2019
Veröffentlichung
19. Juli 2023
Erteilung
19. Juli 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H10N30/097H10N30/00H10N30/079
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SOITEC
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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