Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
EP4016586
Art B1
30. Juli 2025
Anmelder: Nuvoton Technology Corporation Japan 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4016586
- Aktenzeichen
- EP21818171
- Anmeldetag
- 24. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2025
- Erteilung
- 30. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/47H10D30/01H10D64/23H01L21/28H10D62/824H10D62/40H10D64/01// H10D62/85
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nuvoton Technology Corporation Japan
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nuvoton Technology Corporation Japan
Nuvoton Technology Corporation Japan ist die japanische Tochtergesellschaft des taiwanischen Halbleiterunternehmens Nuvoton. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen laufen seit 2003 bis in die Gegenwart.
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