Halbleiterbauelement und Layout für Gate-Elektroden
EP4016641
Art B1
9. Juli 2025
Anmelder: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4016641
- Aktenzeichen
- EP21192097
- Anmeldetag
- 19. August 2021
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2025
- Erteilung
- 9. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/66H10D62/832H10D64/27H10D84/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München