Leseverstärker und Steuerverfahren Dafür, Lese-Schreib-Schaltung eines Speichers und Speicher
EP4020473
Art B1
6. März 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4020473
- Aktenzeichen
- EP19946141
- Anmeldetag
- 27. November 2019
- Veröffentlichung
- 6. März 2024
- Erteilung
- 6. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/06G11C7/08G11C11/4091G11C11/419
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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