Speichereinheit und Verfahren zum Lesen und Schreiben von Daten sowie Speicheranordnung
EP4020476
Art B1
13. August 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4020476
- Aktenzeichen
- EP20941091
- Anmeldetag
- 11. November 2020
- Veröffentlichung
- 13. August 2025
- Erteilung
- 13. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/16G11C8/16H10N50/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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