Lese-Schreib-Schalter und Speicher
EP4020477
Art B1
23. Oktober 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4020477
- Aktenzeichen
- EP21818325
- Anmeldetag
- 1. März 2021
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2024
- Erteilung
- 23. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/4091G11C7/10G11C7/22G06F3/06G11C11/409G11C11/419G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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