Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP4020526
Art B1
22. Mai 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4020526
- Aktenzeichen
- EP21865347
- Anmeldetag
- 2. August 2021
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2024
- Erteilung
- 22. Mai 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank