Elektrostatische Schutzschaltung
EP4020551
Art B1
23. Juli 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4020551
- Aktenzeichen
- EP21803441
- Anmeldetag
- 9. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2025
- Erteilung
- 23. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D89/60H10D84/00H10D89/00H10D62/10H01L23/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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