Lese- und Schreibverfahren für eine Speichervorrichtung und Speichervorrichtung
EP4024396
Art B1
20. Dezember 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4024396
- Aktenzeichen
- EP21863308
- Anmeldetag
- 17. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2023
- Erteilung
- 20. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/401G11C7/04G11C11/4076G01K13/00H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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