Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP4024456 Art A1 6. Juli 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4024456
Aktenzeichen
EP21855052
Anmeldetag
29. Januar 2021
Veröffentlichung
6. Juli 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/108G11C5/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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