Speicher

EP4030261 Art A1 20. Juli 2022

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4030261
Aktenzeichen
EP21859858
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
20. Juli 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G06F1/12G11C11/4076G11C11/4093G11C5/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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