Speichersystem
EP4030431
Art B1
29. Januar 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4030431
- Aktenzeichen
- EP21853579
- Anmeldetag
- 5. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2025
- Erteilung
- 29. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C7/22H03K19/017H03K19/0185
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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