Datenübertragungsschaltung und Speicher

EP4030435 Art B1 1. November 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4030435
Aktenzeichen
EP21859806
Anmeldetag
18. Juni 2021
Veröffentlichung
1. November 2023
Erteilung
1. November 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G06F11/10G11C29/42G11C29/52
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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